Dopning
används för att påverka halvledarkristallens elektriska egenskaper och förändra dess ledningsförmåga, se halvledare (störledare). Dopning kan ske i gasfas genom att störatomer från en omgivande gas av dopämnet vid hög temperatur (900–1200 °C) diffunderar in i halvledarskivan eller genom jonimplantation. Jonimplantationstekniken är den i dag helt dominerande metoden, där dopämnet skjuts
Information om artikeln
Medverkande
Kjell O Jeppson
Källangivelse
Nationalencyklopedin, halvledarkomponent. https://www.ne.se/uppslagsverk/encyklopedi/article/halvledarkomponent/tillverkning/dopning (hämtad 2025-03-18), NE Nationalencyklopedin AB