gunneffekt
gunneffekt [gɐʹn-], mikrovågsoscillation som kan uppträda i vissa halvledarmaterial av n-typ, t.ex. galliumarsenid (GaAs) och indiumfosfid (InP), där elektronhastigheten har ett maximum vid ett visst elektriskt fält (för GaAs vid 320 kV/m) och sedan avtar för större elektriska fält.
Upptäckten gjordes 1963 av den brittiske fysikern J.B. Gunn (född 1928). Effekten utnyttjas i gunndioden, en halvledarkomponent som kan användas som lokaloscillator i mikrovågsområdet.
Information om artikeln
Källangivelse